原装现货供应-ASEMI-90N10原装现货供应
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mos管（mosfet）的发热情况：
1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管发热的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻*比较大，压降*，所以u*i也*，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗*了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以id小于电流，90n10原装现货供应，也可能发热严重，10n60原装现货供应，需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误，24n50原装现货供应，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻**。
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asemi品牌 25n120 mos场效应晶体管 插件封装 mosfet
型号：25n120
封装：to-247/3p
漏*电流（vds）：25a
漏源电压（id）：1200v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般为n沟道和p沟道，原装现货供应，详情参考右侧图片(p沟道耗尽型mos管)。而p沟道常见的为低压mos管。
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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：
7. *间电容
·三个电*之间都存在着*间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds
·cgs和cgd约为1~3pf，cds约在0.1~1pf之间
8. 低频噪声系数nf
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝(db)。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双*性三*管的要小
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