检修用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)

华科智源igbt测试仪针对 igbt 的各种静态参数而研制的智能测试系统；建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），检修用igbt测试仪，计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，检修用igbt测试仪加工，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，检修用igbt测试仪厂家，测试速度方便快捷。
目的和用途该设备用于功率半导体模块（igbt、frd、肖特基二*管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。1.2 测试对象igbt、frd、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us6、开通峰值功率pon：10w～250kw
测试的igbt参数包括：ices（漏流）、bvces（耐压）、igesf（正向门*漏流）、igesr（反向门*漏流）、vgeth（门槛电压／阈值）、vgeon（通态门*电压）、vcesat（饱和压降）、icon（通态集*漏流）、vf（二*管压降）、gfs（跨导）、rce（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在*工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，检修用igbt测试仪批发，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有*的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；01～50ma集电*电压vces：50～500v±2%±1v。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2kv。
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